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存儲器國產化爲何選3D NAND作爲突破口?
時間 2021-07-10
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在上海一場以「匠心獨運,卓越創芯」爲主題的IC技術峯會上,長江存儲CEO楊士寧先生參會並發表了題爲《發展存儲產業的戰略思考》的演講。在演講中,他對爲什麼選擇發展存儲、爲什麼選擇3D NAND Flash作爲突破口、還有3D NAND Flash將面臨什麼樣的挑戰等問題,作了深刻的分析。 爲什麼中國要發展存儲產業 在詳細介紹爲什麼中國要發展存儲產業之前,楊士寧首先對存儲產業的整體狀況作了一個分析
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