高端存儲器研發再獲突破 集成電路國產化進程加快

  近日，長江存儲和中科院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展，32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求，成功實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產業化道路邁出具有標誌性意義的關鍵一步。 存儲器作爲我國集成電路支柱產業，目前主要依賴進口，我國對DRAM和NAND Flash產品需求佔全球消費量的比例超過20%。同時，存儲器也是半導體產業資本

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