EEPROM和FLASH在大多數應用場合中沒法替代SRAM

隨着半導體技術的飛速發展,各類存儲器相繼推出,性能不斷提升。衆所周知,普通SRAM在電源掉電後,其中的數據隨即消失,再次加電後，存儲器中的數據爲隨機數。這對於須要保存大量現場數據及各類系統參數的應用系統來講無疑是不容許的。雖然EPROM的數據不會因掉電而丟失，但EPROM只能用專用的寫入器寫入數據,沒法替代相應的SRAM。

SRAM不存在刷新的問題。一個SRAM基本存儲單元融個晶體管和兩個電阻器構成,它並不利用電容器來存儲數據，而是經過切換晶體管的狀態來實現的，如同CPU中的晶體管經過切換不一樣的狀態也可以分別表明0和這兩個狀態正是由於這種結構,因此SRAM的讀取過程並不會形成SRAM內存儲的的信息的丟失，固然也就不存在什麼刷新的問題了。
 
EEPROM和FLASH是電可擦除的,能夠部分替代相應的SRAM,但EEPROM和FLASH寫入速度(ms級)相對於SRAM(ns級)太慢,沒法存放計算產生的中間結果,沒法高速隨機地寫入大量數據，EEPROM和FLASH寫入次數有限(十萬次左右),而SRAM能夠無限次寫入,更關鍵的是:除非對EEPROM和內存Flash的片選信號用專門的電路加以控制,上、掉電期間會產生誤寫。儘管FLASH有硬、軟件寫保護,但其保護算法使用起來很不方便，效果也不理想,在大多數應用場合中沒法替代SRAM。