碳化硅MOS管

同樣位於元素週期表第四欄的元素，硅(Si)，鍺(Ge)都是被最早用於半導體材料的元素，而碳元素©卻不是。 碳元素在石墨結構下是導體，而在金剛石結構下，由於共價鍵躍遷能帶比較大，是絕緣體。同樣是金剛石結構的硅元素由於共價鍵比較弱，共用電子對定域性較差，在一定電壓下電子就會解離，體現半導體性質。 如果將硅(Si碳©組成碳化硅(SiC)化合物，則形成寬禁帶半導體（3V）。普通的硅（Si）半導體的禁帶只有

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