Mos管

1主要分爲N溝道和P溝道

咱們經常使用的是N型的MOS管，由於導通電阻小，容易製造，在原理圖能夠看到，漏級和源級之間有一個寄生二極管，這叫體二極管，

在驅動感性負載（如馬達），這個二極管很重要。體二極管只有在單個的Mos管中存在，在繼承電路芯片上內部是沒有的。

 

2.導通特性

　　G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極

　　　　        MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它經過加在柵極上的電壓控制器件的特性，

　　　　不會發生像三極管作開關時的因基極電流引發的電荷存儲效應，所以在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極管快。

　　　　　　    場效應管的名字也來源於它的輸入端（稱爲gate）經過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，因此FET管的GATE電流很是小。

　　　　最普通的FET用一薄層二氧化硅來做爲GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱爲金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。

　　　　由於MOS管更小更省電，因此他們已經在不少應用場合取代了雙極型晶體管。

 

　　NMOS的特性，Vgs大於必定的值就會導通，使用於源級接地的狀況（低端驅動），只要柵極電壓達到4-10v就能夠了。

　　PMOS的特性，Vgs小於必定的值就會導通，適用於源級接Vcc狀況（高端驅動）。可是，雖然PMOS能夠很方便的

　　用做高端驅動，可是因爲導通電阻大，價格貴，種類少，在高端驅動中，仍是使用NMOS。

3.MOS開關管損失
 　　    無論是NMOS仍是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫作導通損耗。

　　     選擇導通電阻小的MOS管會減少導通損耗。如今的小功率MOS管導通電阻通常在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
  　　   MOS在導通和截止的時候，必定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個降低的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，

　　　  MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫作開關損失。一般開關損失比導通損失大得多，並且開關頻率越高，損失也越大。
    　　 導通瞬間電壓和電流的乘積很大，形成的損失也就很大。縮短開關時間，能夠減少每次導通時的損失；下降開關頻率，能夠減少單位時間內的開關次數。

　　　  這兩種辦法均可以減少開關損失。

4.MOS管驅動
  　　跟雙極性晶體管相比，通常認爲使MOS管導通不須要電流，只要GS電壓高於必定的值，就能夠了。這個很容易作到，可是，咱們還須要速度。
  　　在MOS管的結構中能夠看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電須要一個電流，

　　   由於對電容充電瞬間能夠把電容當作短路，因此瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

  　　第二注意的是，廣泛用於高端驅動的NMOS，導通時須要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，

         因此這時 柵極電壓要比VCC大4V或10V。若是在同一個系統裏，要獲得比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。不少馬達驅動器都集成了電荷泵，

         要注意的是應該選擇合適的外接電容，以獲得足夠的短路電流去驅動MOS管。