熱瞬態分析的理論基礎

瞬態熱阻 許多半導體器件在脈衝功率條件下工做，器件的溫升與脈衝寬度及佔空比有關，所以在許多場合下須要瞭解器件與施加功率時間相關的熱特性；除了與功率持續時間外，半導體器件的瞬態熱阻與器件材料的幾何尺寸、比熱容、熱擴散係數有關，所以半導體器件的熱瞬態特性能夠反映出器件內部的不少特性 瞬態溫度響應曲線 瞬態溫度響應曲線：半導體器件施加功率後有源區瞬態熱阻（或溫升）隨功率持續時間的上升歷程。 瞬態加熱響應

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