MOS管串聯

MOS管串聯 I-V曲線本來應該一樣，但是由於effL，PSE的存在，以及間接導致的DIBL，都會讓這兩個曲線有區別 長溝道器件，兩者近似。短溝道器件差別大。 其實單純從W/L上考慮應該是沒有區別的。 使用兩個(或多個）串聯，提高L。 我認爲好處如下： 正如二樓所說，避免使用倒比管（W/L遠小於1時）； 通過拆分爲多個管子串聯時，在layout上容易佈局、匹配； 串聯時，如果SD電壓降低，一個管子

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