everspin自旋轉矩MRAM技術

MRAM的主體結構由三層結構的MTJ構成：自由層（free layer），固定層和氧化層。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。MRAM 是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，並且基本上能夠無限次地重複寫入。存儲器讀取電路是經過加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲器的信息。

everspin的最新MRAM技術利用自旋轉矩傳遞特性，即利用極化電流操縱電子的自旋，以創建自由層的所需磁狀態，以對存儲陣列中的位進行編程或寫入。
 
與Toggle MRAM相比，自旋傳遞扭矩MRAM或STT-MRAM顯着下降了開關能量，而且具備高度可擴展性，從而能夠實現更高密度的存儲產品。咱們的第三代MRAM技術使用垂直MTJ。咱們已經開發了具備高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ疊層設計，可提供長數據保留，小單元尺寸，更大密度，高耐久性和低功耗。
 

1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一種相似於JEDEC的DDR4接口，須要進行一些修改才能利用MRAM技術的持久性。 這些產品的性能相似於持久性DRAM，但無需刷新。計劃開發其餘產品，這些產品將利用高速串行接口用於各類嵌入式應用。