STB4NK60Z-1原裝正品IC供應

　　簡介：這些器件是使用STMicroelectronics的SupermeshTM技術開發的N通道齊納保護功率MOSFET，經過優化ST基於帶狀結構的PowerMeshTM佈局實現。除了大幅度下降導通電阻外，該裝置的設計還可確保最大限度地提升dv/dt的能力。要求苛刻的應用程序。

　　STB4NK60Z-1特徵：
　　100%雪崩測試
　　內在電容很是低
　　-保護齊納

　　STB4NK60Z-1應用:
　　開關應用

　　絕對最大額定值:
　　漏源電壓：600V
　　柵源電壓：±30V
　　Tc=25°C時的漏電流（連續）：4A
　　Tc=100°C時的漏電流（連續）：2.5A
　　漏電流（脈衝）：16A
　　tc=25°C時的總功耗：70W
　　降額係數：0.56W/°C
　　門源人體模型（C=100pF，R=1.5KΩ）：3kV
　　峯值二極管恢復電壓斜率：4.5V/ns
　　儲存溫度：-55至150°C
　　最高工做結溫：150°C

　　電氣特性（T = 25°C的案例，除非另有規定）：
　　開/關狀態

STB4NK60Z-1由維庫進行整理編輯，若有采購需求請來站進行鎖貨，保證原裝正品IC，24小時發貨。