STP60NF06場效應管原裝正品

　　簡介：
　　該功率MOSFET系列採用ST微電子獨特的帶狀FET工藝實現，專門設計用於最小化輸入電容和柵極電荷。所以，它適用於電信和計算機應用的高效隔離DC-DC變換器中的主開關。它也適用於低柵極電荷驅動要求的任何應用。

　　產品說明：
　　型號：STP60NF06
　　商品目錄：MOS(場效應管)
　　電流-連續漏極（Id）（25°C時）：60A
　　漏源電壓（Vdss）：60V
　　柵源極閾值電壓（最大值）：4V@250uA
　　漏源導通電阻（最大值）：16mΩ@30A，10V
　　類型：N溝道：
　　功率耗散（最大值）：110W

　　技術參數：
　　ET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
　　FET功能：標準
　　漏源極電壓（Vdss）：60V
　　電流-連續漏極（Id）（25°C時）：60A（Tc）
　　不一樣?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：16毫歐@30A，10V
　　不一樣Id時的Vgs（th）（最大值）：4V@250μA
　　不一樣Vgs時的柵極電荷（Qg）：73nC@10V
　　不一樣Vds時的輸入電容（Ciss）：1660pF@25V
　　功率-最大值：110W
　　工做溫度：-55°C~175°C（TJ）
　　安裝類型：通孔
　　封裝/外殼：TO-220-3
　　供應商器件封裝：TO-220AB

　　內部原理圖：

　　絕對最大額定值：
　　漏源電壓（Vgs=0）：60V
　　柵源電壓：±20V
　　Tc=25°C時的漏電流（連續）：60A
　　Tc=100°C時的漏電流（連續）：42A
　　漏電流（脈衝）：240A
　　Tc=25°C時的總功耗：110W
　　降額係數：0.74W/°C
　　峯值二極管恢復電壓斜率：7.5V/ns
　　儲存溫度：–55至175°C
　　最高工做結溫度：-55至175°C