研究人員開發一種新的MRAM單元結構

MRAM存儲芯片能夠抵抗高輻射，能夠在極端溫度條件下運行，而且能夠防篡改。這使得MRAM適用於汽車和工業，軍事及太空應用，這些對於MRAM存儲芯片開發人員來講是重要的部分。

東京工業大學的研究人員開發了一種新的MRAM單元結構，該結構依賴於單向自旋霍爾磁阻（USMR）。新的單元結構只有兩層。這可能致使成本更低的MRAM器件。

自旋霍爾效應致使電子在材料的側面以必定的自旋積累。經過將拓撲絕緣體與鐵磁半導體相結合，研究人員設法制造出具備巨型USMR的器件。

MRAM存儲芯片是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM存儲芯片具備成爲通用存儲器的潛力-可以將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一塊兒，同時始終保持非易失性和高能效的特色。