LDO即lowdropoutregulator,是一種低壓差線性穩壓器。這是相對於傳統的線性穩壓器來講的。傳統的線性穩壓器,如78XX系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V,不然就不能正常工做。可是在一些狀況下,這樣的條件顯然是太苛刻了,如5V轉3.3V,輸入與輸出之間的壓差只有1.7v,顯然這是不知足傳統線性穩壓器的工做條件的。針對這種狀況,芯片製造商們才研發出了LDO類的電壓轉換芯片。web
低壓降(LDO)線性穩壓器的成本低,噪音低,靜態電流小,這些是它的突出優勢。它須要的外接元件也不多,一般只須要一兩個旁路電容。新的LDO線性穩壓器可達到如下指標:輸出噪聲30μV,PSRR爲60dB,靜態電流6μA,電壓降只有100mV。網絡
看了上面的定義,在不瞭解LDO結構的前提下,你們使用模電知識能夠聯想到下圖低壓降穩壓器。app
上圖是最基本的穩壓電路,核心器件是穩壓管,它的穩壓工做區間決定了輸出穩壓的範圍,經過這種簡單電路,能夠實現小電流(百mA級別),小動態範圍內的穩壓。jvm
把上面電路升級一下,以下圖:佈局
上述電路僅多了一個2N3055三極管,目的就是提高輸出帶載能力,同時三極管還引入了電壓負反饋,起到穩定輸出電壓的做用。當輸入電壓Vin增大或輸出負載電阻增大,輸出電壓Vout會瞬間增長,三極管的射極電Ve壓隨之增大,若是基極電壓Vb不變,則Vb-Ve就會減少,進而輸出電流減少,Vout減少。性能
上圖只是簡單基礎的低壓降穩壓器。注意,和咱們說的LDO,差了「線性」二字。這裏看出上述電路輸出電壓Vout會受到Vbe電壓波動的影響,穩定性較差。且輸出電壓不可調節。ui
在上述電路的基礎上添加「線性」因素,也就是引入運算放大器,加深負反饋的同時提升輸出電壓穩定性。這也就構成了咱們所說的低壓差線性穩壓器。電路圖以下spa
在基本穩壓管調整電路基礎上增長了運算放大器A和分壓電阻採樣網絡R1和R2。當輸入電壓Vin增大或輸出負載電阻增大,輸出電壓Vout會瞬間增長,經過R一、R2分壓採樣獲得的電壓也增長,因爲是反向端輸入,運放A的輸出會相應減少,則Vb-Ve就會減少,進而輸出電流減少,Vout減少。由上圖電路能夠知道,LDO是經過電阻分壓的,也便是LDO只能降壓,不能升壓。並且電流不能過大。設計
LDO的芯片有不少種,我使用過的有AMS1117,spx3819,TLV702x等等。下面咱們以spx3819爲例簡單說一下LDO的應用。3d
spx3819的特色以下
低噪聲:可能達到40uV
高精度:1%
電池反接保護
低壓降:滿載時爲340mV
低靜態電流:90uA
零關模電流
固定輸出:1.2V,1.5V,1.8V,2.5V,3.0V,3.3V,5.0V
不一樣的LDO具備不一樣的性能,你們根據本身實際項目的需求選擇。
spx3819的電路圖以下,能夠看到LDO外圍電路十分簡單。這也是LDO的優勢。
spx3819提供了3種不一樣的封裝,適用於不少場景。
它有輸出額定電壓版本,也就是上文說到的固定輸出:1.2V,1.5V,1.8V,2.5V,3.0V,3.3V,5.0V,經過不一樣的型號後綴區分。
固然也提供了調節電壓的版本,電路和輸出電壓公式以下
上面咱們講解到LDO的原理,是經過電阻分壓的,這使得LDO不適用於大電流的場景,通常不大於1A。這也引出了LDO繞不開的話題:功耗和散熱問題。
選擇LDO首先要考慮的是LDO的最大輸入電壓範圍和LDO電流輸出的能力
而後較大的電流或較大的LDO電壓降會致使較高的組件功率損耗
下圖顯示的是在特定功率下,LDO電壓降和LDO電流之間的關係
當LDO的功耗增長時,LDO封裝的散熱功能也必須可以配合,常見的封裝以下
LDO的功耗是曲跨於LDO上的電壓降乘以流過LDO的電流而決定,功率主要是損耗在LDO的導通組件,是硅晶變熱
損耗的功率取決於IC封裝、PCB佈局、環境溫度
例如:SOT23的封裝,透視圖以下
中心引腳鏈接到貼着晶粒的導線架。散熱主要是向空中散熱,經過引腳向PCB散熱。
由於外側引腳與硅晶粒之間的結合線很細,也就是下圖的4個引腳,因此主要靠中間的引腳散熱,上面也說過,中間引腳鏈接着導線架。因此能夠設計中間的引腳的PCB比較寬。
還有SOP-08的封裝,底層的銅線也能夠用於散熱。
若是按照下圖設計,散熱效果會更好
LDO的優勢包括:
(1)結構簡單,外圍器件少,使用方便。
(2)無開關噪聲,可應用於要求高精度低噪聲的模擬電路中。
但缺點也一樣明顯:
(1)只能降壓,不能升壓。
(2)效率低,特別是輸入電壓高的狀況下,通常負載電流小於1A狀況下使用。
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