原理圖地址:http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3020313.HTM?click_from=8800020962,4950449047,2014-05-01,EDNCOL,NEWSLETTERgoogle
首先要感謝MariannaZhuspa
問:請問能把你的一些封裝庫發給我嗎?我試着用Altium Designer去畫原理圖,但是沒有原件,我不會畫,剛接觸,求指教,謝謝~blog
答:我用的繪圖軟件是CadsoftEagle,基本上用裏面自帶的庫。ip
問:博主,請問你的原理圖中的中間上面在+12V與GND之間使用電容是去耦的做用吧?io
那麼爲何有1個採用有極性的電容,而其它的又是沒有極性的呢?另外,有6個+24V與地(PE)之間採用電容,一樣也分有極性和無極性的,爲何?原理
更重要的是,原理圖中只有在H橋的部分採用+24V的電源,怎麼會使用6個呢?這點很不明白。cli
最後,圖中左上角,在地(PE)與GND之間爲什麼會採用電阻,並且電阻的阻值爲0,弄不明白?請博主指點一下,虛心求教。能不能告訴我一下QQ,能夠好好交流一下,謝謝~軟件
答:+12V和GND之間的大容量有極性電容用做儲能,配合一個104的無極性陶瓷電容濾除電源的高頻噪聲;其餘104的無極性陶瓷電容用做芯片的旁路。im
答:+24V和PE之間,使用了3對有極性大容量鋁電解電容,配合104無極性陶瓷電容。使用多個電容並聯可以減少電容的RMS,效果會更好。命名
答:0歐姆的電阻用做地平面的隔離,GND和PE其實電平是同樣的,可是但願覆銅的時候它們能夠分開,因此使用0歐姆的電阻使之單點共地。
問:請問你的原理圖中:X4-1,X4-3,X4-5都是接單片機或者FPGA的IO口,而後X4-2,X4-4,X4-6都是接地嗎?若是是接地,那麼是接GND仍是PE呢?
還有我看見你的有個第二版是+12P經VPP從LM2596給出,這個若是採用,那麼扇熱是否是一個很大的問題,能不能把原理圖參考一下~
我想把你的這個原理圖弄懂
答:246能夠接地,但最好接vcc
單片機部分的vcc
由於單片機的io灌電流,通常要比驅動電流大一些
lm2596的散熱不是大問題,由於它只負責給芯片供電,並不驅動電機,電流很小
問:我想了好久,前面的是否是弄錯了~應該是246接單片機IO口,而後135接VCC,這樣的話,光耦中的發光二極管就至關因而灌電流負載接法。其實這樣的接法我又有一個疑問:在你下面遇到
的「問題二,光耦的選型?」中「6N135和TLP521-1的輸入端,壓降約爲1.6V,推薦的工做電流爲16mA」那麼對於單片機的最大灌電流10mA來講,這個不是很大嗎?
這裏究竟是怎麼接法,我有點糊塗了
答:確實是135接vcc,246接io口
我沒多想就弄反了
雖然推薦的爲16ma,可是通常都不會用這麼大
問:那麼怎麼保證不會超過單片機的最大灌電流10mA,若是超過了不就是不穩定了嗎
問:還有你前面說的:「單片機的io灌電流,通常要比驅動電流大一些」,單片機的驅動能力不是由拉電流和灌電流決定嗎?爲何單片機的io灌電流,通常要比驅動電流大一些
這個我也不是很理解
答:300歐姆的限流電阻,3.3-1.6=1.7的壓降,也就不到6ma
那個驅動電流,其實就是輸出電流的意思
單片機的io口電流,能夠從vcc往io裏面灌,也能夠從io輸出通過負載往gnd走
問:你這個驅動電路最大能驅動大多電流的步進電機呢
單片機的io口,若是接的負載電阻很小,好比應該接1k的只接了100偶,就可能燒壞io口。強悍點的io口可能不會壞,可是電平被小電阻拉過去了
這個h橋是6a的
6a通過8小時運行,實際上還能大一些
問:請問你這個24V的地和12V的地,畫PCB的時候分別鋪兩層銅?這兩個都是模擬地,若是個人原理圖中還有數字地,那麼我不是要鋪3層銅把地隔開~你這個用0歐姆電阻分開的兩個地必須
要分開嗎?若是合在一塊兒會有多大影響呢?
答:不一樣的地確實最好分開鋪,數字地也是。最好是分開,鋪在一塊兒的話效果稍微差一下
不算是幾層銅,而是一層銅被分隔成幾塊。
0歐至關於就是單點共地,不用它而是畫pcb的時候用線也是能夠的
使用0歐主要是便於命名不一樣的gnd
問:請問你當時畫PCB時,6N135的封裝是怎麼畫的呢?6N135的datasheet上面是方孔,方孔不是干擾大嗎?你是怎麼作的呢?
這個是datasheet裏面的截圖,請指教一下,第一次畫PCB,不懂
答:actually,cadsoft eagle裏面自帶6n135的庫
普通的橢圓形dip8封裝
問:我用的是Altium Designer,eagle不會用,DIP8普通的焊盤能夠用嗎?
答:能夠的
問:
答:第一個問題,散熱片由於沒有電氣鏈接,因此畫出示意圖加封裝就行了,到時候隨意擺放,它和mos管必須用 隔離墩 聚xx片(名字忘了,灰色的時候布片) 以及導熱硅脂相連
才能既傳遞熱量,又不會短路,由於mos管的背板和它的中間引腳是連通的
圖中的這個是封裝庫的原理圖,它和pcb封裝沒有必然聯繫,就算這個圖裏面畫了四朵花,只要它的封裝畫的是實際尺寸就行
c12和r14的值不要太大,1k加104就行了,不焊也行。它們的做用是讓負載兩端的電壓不要有毛刺,負載不同的時候,經過調整它們的值來得到更好的效果
選1k是不對的
1k是適用於晶體管的值,mos柵極是電壓控制,輸入電阻很是大,因此沒有必要用更大的電阻限流。大電阻反而會減慢信號傳遞的速度
問:
答:這些我知道個大概,提及來內容太多了
建議FQ去google
問:你的24V和PE之間的有極限電容選取的是多大呢
還有就是+12V與GND之間的有極性電容選取的是多大
電容和電阻的封裝0805能夠嗎?
答:大電流用大電容
封裝的參數和電流有關
小電流用小電容
像電流很小的時候用0805就是能夠的
問:請問一下,你這個H橋是怎麼控制的,我有點不懂,能不能解釋一下~