3.3.0閃存架構

區別於動態隨機存取存儲器（DRAM）和靜態RAM（SRAM），閃存是「大多數讀取」設備。因爲其讀取速度很快，讀一個byte大約需要20ns。 而寫入速度很慢，想要寫一個cell，必須先erase擦除 cell所在的sector，將所有cell寫爲1，然後再去program特定位置的位置（1變爲0）。 由於擦除只能陣列級別擦除，所以我們將chip分爲很多小塊（sector/block），block一

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