將賽普拉斯nvSRAM替換爲MRAM

本章節對賽普拉斯4Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II（薄小外型封裝-II 類型）和48球型焊盤 FBGA（小間距球柵陣列）封裝選擇中各自的引腳和封裝區別進行了詳細說明。
 

替換 44 TSOP-II 封裝選擇

圖1顯示的是使用 44 引腳 TSOP-II 封裝選擇時在相同的44 焊盤 PCB 封裝上將 4Mbit（x16）MRAM 替換爲 4Mbit（x16）nvSRAM 的例子。MRAM 和 nvSRAM 器件的 44引腳的 TSOP-II 封裝尺寸是相同的，如表1所示。
 

 44 引腳 TSOP-II 封裝比較

 
除引腳 28（在 nvSRAM 上是 VCAP引腳，在 MRAM 上則被設計成 DC（請勿鏈接）引腳）外，nvSRAM 44 引腳TSOP-II 引腳的分佈與 MRAM 44 引腳 TSOP-II 引腳的分佈徹底相同。經過建立用於將電容器鏈接到 nvSRAM VCAP 的空間，可不調整電路板也能將 NV-SRAM 和 MRAM 互換。
 

替換 48 球型焊盤 FBGA 封裝選擇

圖 2 顯示的是使用 48 球型焊盤 FBGA 封裝選擇時在相同的48 焊盤 PCB 封裝上將 4Mbit（x16）MRAM 替換爲 4Mbit（x16）nvSRAM 的例子。MRAM 和 nvSRAM 器件的 48球型焊盤 FBGA 封裝的長度、寬度和高度均不同。然而，48 球型焊盤 FBGA 封裝的間距保持一致，這樣可保證兩種封裝選擇的替換引腳是兼容的。在這種狀況下，應保留PCB 上的封裝防備區，以便保證可以在不影響 PCB 上其餘組件的前提下順利安裝 nvSRAM 或 MRAM 48 球型焊盤FBGA 封裝。MRAM 和 nvSRAM 的 48 球型焊盤 FBGA 封裝尺寸比較如 表 2 所示
 
除了 E三、G2 和 H6 等三腳（在 MRAM 中被設計成 DC（請勿鏈接）或 NC（無鏈接）引腳）外，nvSRAM 的引腳分佈與 MRAM 徹底相同。在 nvSRAM 中，E三、G2 和 H6 分別是VCAP、HSB和NC引腳，經過建立用於將電容器鏈接到nvSRAM VCAP的空間，可不調整電路板也能將 nvSRAM 和MRAM 互換。經過使用一個微上拉電阻（~100 KΩ）可在nvSRAM HSB引腳調整位高水平，所以，，若是在設 計中不須要使用 nvSRAM HSB引腳的性能，HSB引腳將被保持爲懸空（NC）狀態。nvSRAM NC 引腳的鏈接不受任何限制。nvSRAM NC 引腳在設計中能夠處於任何邏輯電平（高或低電平），也能夠處於懸空（NC）狀態。
 

MRAM 和 nvSRAM48 球型焊盤 FBGA 封裝比較

 
註釋1:若是在設計中不須要使用nvSRAM HSB的性能，它被保持爲懸空(或NC)狀態。在HSB引腳與-一個控制器I/O相連時，建議在該引腳上鍊接-一個4.7KQ~10KQ的外部上拉電阻。

註釋2:當在相同封裝上使用MRAM來替換nvSRAM時，nvSRAMVCAP引腳上的電容器(C)在BOM中可被指定爲DNI(請勿設置)。使用nvSRAM時，應安裝一個電容器(C) 。

 nvSRAM VCAP和HSB的鏈接

 

 
除 nvSRAM 的 VCAP引腳（至關於 MRAM 的無鏈接（NC）引腳）外，賽普拉斯 nvSRAM 的引腳分佈與 MRAM 引腳分佈徹底相同。