臺積電：2nm芯片研發的重大突破，1nm也沒問題

臺積電：2nm芯片研發的重大突破，1nm也沒問題。 臺積電：第一代官宣2nm製程，領先於研發進度。 據臺灣經濟日報報道，臺積電在2nm工藝上有重大突破，研發進度領先，業界預計2023年下半年將實現90%的風險試產良率。 與3nm和5nm採用鰭式場效晶體管(FinFET)結構不同的是，臺積電2nm採用了全新的多橋通道場效晶體管(MBCFET)結構，據臺媒稱，這一研發進展領先。 據悉，臺積電去年成立了

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