模電之半導體基礎篇2（PN結）

文章目錄 一、PN結的形成 二、PN結的動態平衡 三、PN結的正反偏置 四、電流的估算、PN結的擊穿性 五、PN結的電容 一、PN結的形成 1、過程 使用工藝，將P區域N區分散在左右兩邊，在濃度差作用下：電子從N取向P區擴散，空穴從P區向N區擴散 2、PN結 經過這樣的多子（N區電子與P區空穴）互相擴散的過程之後，會在P區和N區的交界面上，留下一層不能移動的正離子（N區）、負離子（P區）。該層稱作

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