everspin自旋轉矩MRAM技術

MRAM的主體結構由三層結構的MTJ構成：自由層（free layer），固定層和氧化層。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。MRAM 是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重複寫入。存儲器讀取電路是通過加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲器的信息。 everspin的最

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