實例解密「ZVS反激開關電源」！

1. 反激應用中MOSFET的損耗分析 MOSFET的損耗主要包括如下幾個部分： 1導通損耗 導通損耗是比較容易理解的，即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。降低這個損耗也是大家最容易想到的，例如選用更低Rdson的管子，設計變換器進入更深的連續模式來降低RMS電流等。然而需要注意的是，Rdson和Q互相矛盾，最終，只能在兩者之間找到一個平衡點。 2關斷損耗 關

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