手機內存、閃存和緩存

RAM（random access memory）隨機接入存儲器，可讀可寫，存取速度快，讀寫時間相等，斷電時存儲內容丟失。

手機RAM等同於計算機的內存，RAM越大手機越能運行多個程序並且流暢。

又可分爲SRAM（靜態ram） DRAM（動態ram） SDRAM（同步動態ram）

LPDDR(low power double date rate)就是DDR SDRAM的一種，有單通道和雙通道之分，決定了RAM的讀寫方式和速度

通常有32bit和64bit兩種帶寬，時鐘頻率不等。不如32bit 雙通道 lpdd3 800MHZ

 

ROM（read only memory）只讀存儲器，只能讀出信息，不能寫入，存取速度低，斷電存儲內容不丟失。

手機ROM等同於計算機的硬盤，ROM越大手機越能存放更多數據，還有一層含義就是一般所說的刷機包。

又可分爲PROM（可編程rom） EPROM（可擦除可編程rom） EEPROM（電可擦除可編程rom）

 

閃存（Flash memory）：，非易失性存儲器，EEPROM的變種，可擦可寫可編程，斷電數據不丟失。

通常分爲NOR flash和NAND flash

NAND flash：串行接口，寫入和擦除速率快，集成度搞，容量大（8M-128M），讀取速率較慢

NOR flash：並行接口，讀取速率快，集成度低，容量小（1M-16M）

ROM的讀寫速率通常由閃存決定，讀取速率要比寫入速率大的多，目前讀取速率通常最大140MHZ/S，寫入速率通常最大40MHZ/S。

 

 

EMMC（embedded multi media card）以手機產品爲主的內嵌式存儲器，在封裝中集成了一個控制器和NAND flash memory，並提供標準接口。

其實也是ROM的一種。

 

緩存（cache memory）主要介紹cpu緩存，SRAM的一種，位於CPU與內存之間的臨時存儲器，它的容量比內存小的多可是交換速率卻比內存要快得多。緩存的出現主要是爲了解決CPU運算速率與內存讀寫速率不匹配的矛盾，由於CPU運算速率要比內存讀寫速率快不少，這樣會使CPU花費很長時間等待數據到來或把數據寫入內存。

一級緩存L1 cache，容量通常只有幾百KB

二級緩存L2 cache，容量通常1MB/2MB。

緩存容量很小，但運行速率很快。通常來講，容量越大，執行效率越高，能夠彌補主頻的不足。

好比1.2HZ的主頻，2M的L2 cache和1.5HZ的主頻，1M的L2 cache相比，1.2HZ主頻的設備運行速率會比1.5HZ的更快。

 

 

位寬（一個時鐘週期內傳送的數據的位數）32bit、64bit、128bit 雙通道*2

頻率

帶寬=等效頻率*位寬/8

等效工做頻率=實際工做頻率*2（ddr、ddr二、ddr三、ddr4）

                 =實際工做頻率*4（ddr5）