存儲器的簡單總結

    最近的工做一直跟flash打交道，讀flash，寫flash，出於強迫症總結一下。

    存儲器總的分爲兩大類：掉電不丟失數據、掉電丟失數據。

1、掉電不丟失數據（ROM）術語：非易失性存儲器

ROM通常存的是固件，好比PC，BIOS.系統的引導程序（boot）。

一、ROM(只讀存儲器)中的PROM（可編程ROM）

只能被擦除一次（每一個存儲單元有一種熔絲，只能用高溫熔斷一次）

二、ROM(只讀存儲器)中的EPROM（可編程ROM）

能擦除1000屢次，用紫外線擦除。

三、ROM(只讀存儲器)中的EEPROM（可編程ROM）

能擦除不少不少次，電可擦除，比EPROM好太多。

四、flash（閃存，基於EEPROM）

最近一直在操做這個玩意，flash會被等分紅若干的扇區（根據flash大小）。

1）不一樣的flash有不一樣的扇區大小，而後將flash等分紅若干扇區；

2）不一樣的flash有不一樣的最大讀寫塊，最小通常按字節讀寫；我最近搞兩種，一種國外的最大讀寫就是一個扇區0x20000，一種是臺灣的最大讀寫是64字節。

五、固態硬盤（SSD，基於flash）

固態硬盤和磁盤一個地位，可是比磁盤最主要的區別就是快，固然也就貴不少。

六、磁盤存儲

磁盤是由盤片構成。每一個盤片有兩面或者稱爲表面，表面覆蓋着磁性記錄材料。

2、掉電丟失數據（RAM隨機訪問存儲器）術語：易失性存儲器

一、SRAM（靜態RAM）

SRAM用來作高速緩存（位於主存和cpu寄存器中間），高速緩存分爲L1，L2,L3，三級。L1高速緩存比L2高速緩存快但比L2小；兩者是靜態隨機訪問存儲器（SRAM）硬件實現；比較新的處理器有三級緩存，L1.L2.L3

二、DRAM（動態RAM）

DRAM用來實現主存，電腦或手機說的1g，4g運行內存就是主存（DRAM）,64g,128g說的就是硬盤/FLASH/固態硬盤。

3、存儲器的層次結構

4、各個部分在設備的體現