金屬所製備出硅-石墨烯-鍺高速晶體管

10月25日，中國科學院金屬研究所瀋陽材料科學國家研究中心先進炭材料研究部科研人員在《自然-通訊》（Nature Communications）上在線發表了題爲《垂直結構的硅-石墨烯-鍺晶體管》（A vertical silicon-graphene-germanium transistor）的研究論文。科研人員首次製備出以肖特基結作爲發射結的垂直結構的硅-石墨烯-鍺晶體管，成功將石墨烯基區晶體管

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