關注 | 摩爾定律到底還能走多遠？

文章經授權轉載自半導體行業觀察（ID：icbank） 近日，三星公佈了其半導體工藝路線圖，除了今年下半年使用EUV的7nm量產之外，接下來還將有5nm和4nm FinFET，而到了2020年則會開始3nm基於Gate All-Around （GAA）晶體管的最新工藝。除此之外，ASML則確認了其光刻機使用EUV加上大數字孔徑可以實現1.5nm的特徵尺寸從而可望支持摩爾定律發展到2030年。近些年來

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