全新耐高溫2Mbit FRAM是ADAS存儲的理想之選

FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作爲電容來存儲數據，即使數據沒有電源也可以保存。採用鐵電薄膜作爲電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面具有優勢。FRAM結合了ROM和RAM的特點，具有高速寫數據，低功耗，高速讀/寫週期等優點。 富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作，工作電壓可低至1.7V

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