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WNM6002 N通道增強功能MOS場效應晶體管
時間 2021-01-09
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單N溝道,60V,0.30A,功率MOSFET 說明 WNM6002是N通道增強功能MOS場效應晶體管。使用先進的溝槽 技術和設計,提供卓越的RDS(ON)低柵極電荷。該設備適合使用 在DC-DC轉換,電源開關和充電電路。標準產品WNM6002是無鉛的無滷。 特徵 FAE:13723714328 海溝技術 超高密度電池設計 出色的導通電阻,可提供更高的直流 極低的閾值電壓 小包裝SOT-323 應
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