存儲器的層次結構

隨機訪問存儲器(Random-Access Memory,RAM)分爲兩類：靜態和動態的。
靜態RAM
SRAM將每一個位存儲在一個雙穩態的存儲器單元裏。每一個單元是是用一個六晶體管電路來實現的。它能夠無限期地保持在兩個不一樣的電壓狀態之一。其餘任何狀態都是不穩定的--位於不穩定狀態是，電路會迅速地轉移到兩個穩定狀態之一。因爲SRAM存儲器單元的雙穩態特性，只要有電，就保持值不變。如有干擾，例如電子噪音，擾亂電壓，但干擾消除時，電路會恢復到穩定值。
動態RAM
DRAM將每一個位存儲爲對一個電容的充電。這個電容很是小，一般只有大約30x10負15次方法拉。DRAM存儲器能夠製造的很是密集--每一個單元有一個電容和一個訪問晶體管組成。DRAM存儲單元對干擾很是敏感。當電容的電壓被擾亂後，就永遠不會恢復了。暴露在光線下會致使電容電壓改變。DRAM單元在10-100毫秒時間失去電荷。計算機運行的時鐘週期以納秒衡量。存儲器系統必須週期性的經過讀出，而後重寫來刷新存儲器的每一位。