TPS53355DQPR半導體場效應應晶體管

　　描述
　　TPS53355DQPR是一款集成有金屬氧化物半導體場效應應晶體管（MOSFET）的D-CAP?模式，30A同步開關。它的設計目標是簡單易用，減小外部組件，以及適用於空間受限的電源系統。
　　該器件採用5mΩ/2.0mΩ集成MOSFET，精度爲1％，基準電壓爲0.6V，並具有一個集成升壓開關。富有競爭力的特性包括：1.5V至15V寬轉換輸入電壓範圍，所用外部組件極少，針對超快瞬變的D-CAP?模式控制，自動跳躍模式運行，內部軟啓動控制，可選頻率而且無需補償。
　　品牌：TI
　　型號；TPS53355DQPRDQPR
　　封裝：QFN22
　　包裝：2500
　　年份：18+
　　轉換輸入電壓範圍爲1.5V至15V，電源電壓範圍爲4.5V至25V，輸出電壓範圍爲0.6V至5.5V。該器件採用5mm×6mm，22引腳QFN封裝，額定工做溫度範圍爲-40°C至85°C。
　　特性
　　FAE：13723714318
　　最高效率達96％
　　轉換輸入電壓範圍：1.5V至15V
　　漏極電源電壓（VDD）輸入電壓範圍：4.5V至25V輸出電壓範圍：0.6V至5.5V5V低壓降（LDO）輸出
　　支持單電源軌出入
　　帶有30A持續輸出電流的集成型功率金屬氧化物半導體場效應應晶體管（MOSFET）自動跳躍Eco-mode?，用於實現輕負載效率<10μA關斷電流
　　針對快速瞬態響應的D-Cap +?模式
　　可經過外部電阻在250kHz至1MHz範圍內選擇開關頻率可選的自動跳躍或者只支持脈寬調製（PWM）運行內置1％0.6V基準電壓。
　　0.7ms，1.4ms，2.8ms和5.6ms可選內部電壓伺服系統軟啓動集成升壓開關預充電啓動能力
　　支持可調節的過流限制和溫度補償
　　過壓，欠壓，欠壓鎖定（UVLO）和過熱保護
　　支持全部陶瓷輸出電容
　　開漏電源良好指示
　　組裝有NexFET?電源塊技術
　　22引腳四方扁平無引腳（QFN）封裝，採用PowerPAD?
　　概述
　　TPS53355DQPR是一款高效率，單通道，同步降壓轉換器，適用於低輸出電壓計算和相似數字消費應用中的負載點應用。該設備具備專有功能D-CAP?模式控制與自適應導通時間架構相結合。這種組合很是適合建築現代低佔空比，超快速負載階躍響應DC-DC轉換器。輸出電壓範圍爲0.6 V至5.5 V.轉換輸入電壓範圍爲1.5 V15 V，VDD偏置電壓爲4.5 V至25V. D-CAP?模式使用輸出電容的等效串聯電阻（ESR）來檢測器件當前。該控制方案的一個優勢是它不須要外部相位補償網絡。這容許外部元件數量少的簡單設計。八個預設開關頻率可使用從RF引腳鏈接到地或VREG的電阻來選擇值。自適應導通時間控制在寬輸入和輸出電壓範圍內跟蹤預設開關頻率，同時容許切換在負載升壓時頻率增長。
　　TPS53355DQPR具備MODE引腳，可在自動跳過模式和強制連續導通模式之間進行選擇（FCCM）適用於輕載條件。 MODE引腳還設置可選的軟啓動時間，範圍爲0.7 ms至5.6 msTPS53355DQPR沒有專用振盪器來肯定開關頻率。 可是，該設備經過將輸入和輸出電壓前饋到導通時間單輸出，以僞恆定頻率工做計時器。 自適應導通時間控制將導通時間調整爲與輸入電壓成反比與輸出電壓成正比（tONαVOUT/ VIN）。這使得開關頻率在寬輸入電壓範圍內的穩態條件下至關恆定。開關頻率可經過鏈接在RF引腳和之間的電阻從8個預設值中選擇GND或RF引腳與VREG引腳之間如表1所示。（保持開路電阻設置爲開關頻率爲500 kHz。）關斷時間由PWM比較器調製。 VFB節點電壓（電阻分壓器的中點）是與添加斜坡信號的內部0.6V參考電壓相比。 當兩個信號匹配時，PWM比較器置位置位信號以終止關斷時間（關閉低端MOSFET並導通高端MOSFET）。 若是電感電流水平低於OCP閾值，則設定信號有效，不然關閉時間延長直到當前水平低於閾值。圖35和圖36顯示了兩種導通時間控制方案。
　　TPS53355DQPR在0.6 V基準電壓源上增長了一個斜坡信號，以提升抖動性能。 如中所述在前一節中，將反饋電壓與參考信息進行比較，以保持輸出電壓在監管中。 經過向參考添加一個小的斜坡信號，在一個新的開始時的信噪比開關週期獲得改善。 所以，操做變得更少抖動和更穩定。 斜坡信號是控制在開啓週期開始時爲-7 mV，在關閉週期結束時爲0 mV穩定狀態。
　　在跳過模式操做期間，在不連續導通模式（DCM）下，開關頻率低於標稱頻率和關閉時間比CCM中的關閉時間長。 因爲停機時間較長，因此斜坡信號在穿過0 mV後延伸。 可是，它被鉗位在3 mV以最小化DC偏移。
　　TPS53355DQPR具備自適應過零電路，可優化零電感電流在跳過模式操做中檢測。 該功能追求理想的低端MOSFET關斷時序和補償Z-C比較器的固有偏移電壓和Z-C檢測電路的延遲時間。 它防止由太晚檢測引發的SW節點擺動，並最小化由此引發的二極管導通週期早期發現。 結果，提供了更好的輕載效率。
　　TPS53355DQPR具備電源就緒輸出，當切換器輸出在目標範圍內時，該輸出指示高電平。 力量好軟啓動完成後激活功能。 若是輸出電壓在+ 10％和-5％以內目標值，內部比較器檢測電源良好狀態，電源良好信號變爲高電平後1-ms內部延遲。 若是輸出電壓超出目標值的+ 15％或-10％，則爲電源良好信號在內部延遲2微秒（2-μs）後變低。 電源就緒輸出是開漏輸出必須從外部拉起來。電源就緒MOSFET經過VDD引腳供電。 VVDD必須> 1 V才能得到有效的功率邏輯。 建議將PGOOD拉至VREG（或從VREG分壓的電壓）以使電源良好即便沒有VDD電源，邏輯仍然有效。