直接匹配阻抗,天線與射頻芯片在同一塊板子,調試步驟與50歐姆阻抗匹配調試天線參數差很少,多了一部分射頻芯片端的濾波部分的參數計算。下面介紹調試過程。測試
一、首先看一下射頻芯片發射部分原理圖:分析原理圖時按單邊的分析,以TX1端出發開始分析。其中L一、C23組成了濾波電路;R30主要用於調試調試天線時斷開前級濾波電路用的;C2一、C22爲串聯電容;C2五、C26爲並聯電容;R31爲串聯電阻。spa
二、首先計算出濾波電路部分在13.56Mhz下的阻抗,一樣是利用史密斯圓圖計算。首先TX1的輸出部分爲純電阻性的,在程序裏面設定爲12歐姆。那麼史密斯圓圖的原始點就設定爲 Z=12;接着串入560nH的電感獲得TP2點,再併入一個180pF的電容獲得TP3點。史密斯圓圖以下:設計
三、接着來測試裸板天線參數,斷開R30、R34,短接C2一、C2二、C3三、C34,斷開C2五、C2六、C3一、C32,R3一、R35短接,斷開R33。從R30、R34端測量,利用頻譜分析儀測量出1Mhz下的電感值爲1296nH,13.56Mhz下的電阻爲2.05歐姆。3d
四、爲了知足Q,因此將R31與R35的值取爲1歐姆。Q=wL/R = 26.87。調試
五、按第三步計算出來的R3一、R35。焊接上相應阻值的電阻,再從R30、R34端測量。測量出在13.56Mhz下的阻抗Z = 3.65+110.44j。blog
六、測量史密斯時仍是利用單邊來,單邊的阻抗 Z = 2.055+57.755j。從第2步就能夠獲得了濾波電路後的阻抗爲Z=113.371+100.071j,咱們的目標是Z = 113.371-100.071j,來達到與與濾波電路端輸出共軛匹配。仍是先加並聯端的電容,最終得出並聯總電容爲176pf。接着加串聯端的電容,最終得出串聯總電容爲38.6pf。最終實際Z = 108.772+102.069j。由於要考慮到有適合的電容。因此通常達不到百分百的共軛匹配。原理
七、根據第6步測出的值最終得出參數C21=C23=5.6pf;C22=C34=33pf;C25=C31=56pf;C26=C32=120pf;R31=R35=1歐姆。這樣最終調試出了直接阻抗匹配的最佳參數。實際測試能夠到達3.5cm的距離。由於設計的天線的半徑比較短,已經符合設計要求。程序