SRAM VS DRAM

SRAM不須要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM具備較高的性能，功耗較小。SRAM主要用於二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數據。可是SRAM也有它的缺點，集成度較低，相同容量的DRAM內存能夠設計爲較小的體積，可是SRAM卻須要很大的體積。一樣面積的硅片能夠作出更大容量的DRAM，所以SRAM顯得更貴。SRAM的速度快但昂貴，通常用小容量SRAM做爲更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存。
 
SRAM存儲原理
SRAM採用雙穩態觸發器來做存儲元件，不存在電容的刷新問題，只要電源正常供電，觸發器就能穩定地存儲數據，所以稱爲靜態隨機存取儲存器。其存儲單元的每一位都是由雙穩觸發器和選通門電路組成的;而整個存儲器由存儲單元組成的陣列和控制電路組成。
 
SRAM特色
鏈接使用方便(不須要刷新電路)、工做穩定、存取速度快(約爲動態隨機存取儲存器DRAM的3~5倍)、使用簡單;
因爲每一位的存儲，都用好幾個晶體管，所以單片的存儲容量不易作得很高，集成度較低且價格較貴;因爲價格相對較高，計算機主存用得不多，主要用做高速緩衝存儲器(Cache)。
 
DRAM是一種半導體存儲器，主要的做用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來表明一個二進制bit是1仍是0。與SRAM相比的DRAM的優點在於結構簡單,每個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit一般須要六個晶體管。所以DRAM擁有很是高的密度，單位體積的容量較高所以成本較低。
 
DRAM存儲原理
DRAM的每一位存儲單元採用一個晶體管和小電容來實現。若寫入位爲「1」，則電容被充電:若寫入位爲「0」，則電容不被充電。讀出時用晶體管來讀與之相連的電容的電荷狀態。若電容被充電，則該位爲「1」;若電容沒有被充電，則該位爲「O」。
 
DRAM特色
因爲每一個存儲位僅用一個晶體管和小電容，所以集成度比較高。就單個芯片的存儲容量而言，DRAM能夠遠遠超過SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的價格也大大低於SRAM。這兩個優勢使DRAM成爲計算機內存的主要角色。DRAM的行列地址分時複用控制和須要刷新控制，使得它比SRAM的接口要複雜一些。DRAM的存取速度通常比SRAM要慢。
 
總結一下：
SRAM成本比較高
DRAM成本較低（1個場效應管加一個電容）
SRAM存取速度比較快
DRAM存取速度較慢（電容充放電時間）
SRAM通常用在高速緩存中
DRAM通常用在內存條裏