SRAM、DRAM、SDRAM、DDR、DDR二、DDR3

RAM可分爲SRAM（Static RAM/靜態存儲器）和DRAM（Dynamic RAM/動態存儲器）。
SRAM是利用雙穩態觸發器來保存信息的，只要不掉電，信息是不會丟失的。SRAM存儲元件所用MOS管多，佔硅片面積大，於是功耗大，集成度低；但由於採用一個正負反饋觸發器電路來存儲信息，因此只要直流供電電源一直加在電路上，就能一直保持記憶狀態不變，因此無需刷新。也不會由於讀操做而使狀態發生改變，特別是它的讀寫速度快，其存儲原理可看做是對帶時鐘的RS觸發器的讀寫過程。因爲SRAM價格比較昂貴，於是適合作高速小容量的半導體存儲器，如Cache。

　　　　　　　　　　SRAM結構圖

DRAM是利用MOS（金屬氧化物半導體）電容存儲電荷來儲存信息，所以必須經過不停的給電容充電來維持信息。DRAM存儲元件所用MOS管少，佔硅片面積小，於是功耗小，集成度很高；但由於採用電容存儲電荷來存儲信息，會發生漏電現象，因此要使狀態保持不變，必須定時刷新；讀操做會使狀態發生改變；特別是它的讀寫速度相對SRAM元件要慢的多，其存儲原理可看做是對電容充、放電的過程。相比於SRAM，DRAM價格較低，於是適合作慢速大容量的半導體存儲器，如主存。

　　　　　　　　　　DRAM結構圖

SRAM存儲一位須要6個晶體管，而DRAM只須要一個電容和一個晶體管。cache追求的是速度，因此選擇SRAM，而內存追求容量因此選擇可以在相同空間中存放更多內容且造價相對低廉的DRAM。
咱們姑且不去討論關於SRAM是如何靜態存儲數據（觸發器）的。爲何DRAM須要不斷刷新呢？

DRAM的數據其實是存在電容裏的。而電容放久了，內部的電荷就會愈來愈少，對外就造成不了電位的變化。並且當對DRAM進行讀操做的時候須要將電容與外界造成迴路，經過檢查是否有電荷流進或流出來判斷該bit是1仍是0。因此不管怎樣，在讀操做中咱們都破壞了原來的數據。因此在讀操做結束後須要將數據寫回DRAM中。在整個讀或者寫操做的週期中，計算機都會進行DRAM的刷新，一般是刷新的週期是4ms-64ms。

關於SRAM和DRAM的尋址方式也有所不一樣。雖然一般咱們都認爲內存像一個長長的數組呈一維排列，但實際上內存是以一個二維數組的形式排列的，每一個單元都有其行地址和列地址，固然cache也同樣。而這二者的不一樣在於對於容量較小的SRAM，咱們能夠將行地址和列地址一次性傳入到SRAM中，而若是咱們對DRAM也這樣作的話，則須要不少不少根地址線（容量越大，地址越長，地址位數越多）。因此咱們選擇分別傳送行地址和列地址到DRAM中。先選中一整行，而後將整行數據存到一個鎖存器中，等待列地址的傳送而後選中所須要的數據。這也是爲何SRAM比DRAM快的緣由之一。

SRAM速度很是快，是目前讀寫最快的存儲設備了，可是它也很是昂貴，因此只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它仍是比任何的ROM都要快，但從價格上來講DRAM相比SRAM要便宜不少，計算機內存就是DRAM的。 
DRAM分爲不少種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM等。DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱做DDR SDRAM， 這種改進型的RAM和SDRAM是基本同樣的，不一樣之處在於它能夠在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，並且它有着成本優點。而一般人們所說的SDRAM 是 DRAM 的一種，它是同步動態存儲器，利用一個單一的系統時鐘同步全部的地址數據和控制信號。使用SDRAM不但能提升系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。在嵌入式系統中常用。

SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存儲器，同步是指Memory工做須要同步時鐘， 內部命令的發送與數據的傳輸都以它爲基準；動態是指存儲陣列須要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫。

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM。

DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不一樣就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/降低延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每一個時鐘可以以4倍外部總線的速度讀/寫數據，而且可以之內部控制總線4倍的速度運行。

DDR3是一種電腦內存規格。它屬於SDRAM家族的內存產品，提供了相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料率同步動態隨機存取內存）的後繼者（增長至八倍），也是現時流行的內存產品。

詳細能夠參考：http://www.21ic.com/app/mcu/201412/610561.htm