最新成果展示：II類超晶格微帶模型

基於Crosslight公司先進的半導體器件仿真設計平臺，我司技術團隊已成功開發出精準可靠的II類超晶格微帶模型。衆所周知，InAs、GaSb和InAsSb材料體系因具有極窄的有效帶隙，被廣泛地應用在中紅外、遠紅外波段的光電器件領域。該模型的成功開發有助於研究人員理清影響器件有效帶隙的諸多敏感參數，對追求更長波段的紅外探測極具重要的理論指導意義。

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