STT-MRAM存儲器技術結構圖

目前有數家芯片製造商,正致力於開發創新出名爲STT-MRAM的新一代存儲器技術,然而這項技術仍存在其製造和測試等面向存在着諸多挑戰.STT-MRAM(又稱自旋轉移轉矩MRAM技術)具有在單一元件中,結合數種常規存儲器的特性而獲得市場的高度重視.在多年來的發展中發現,STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩定性與耐久性.STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性,在芯片中提供非揮發性儲存的
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