【轉載】關於深N肼

引用自：鄧健. 12位100MSps低功耗SAR ADC的研究與設計[D]. 電子科技大學, 2017. 對於局部電路，所有的 NMOS 都做在 P 襯底上，噪聲會通過襯底串擾到噪聲敏感電路，如圖 5-5(a)所示，使得器件的閾值電壓受噪聲的干擾，電流非線性更加明顯；圖 5-5(b)所示電路中，將噪聲敏感電路的器件置於深 N 阱（Deep N-Well：DNW）中，由於 NW/DNW 將關鍵模塊與

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