場效應管放大電路

金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管 N溝道增強型MOSFET 柵源加電壓，在電場作用下產生溝道。產生溝道的門限開啓電壓VT。 漏源加電壓，產生電壓梯度，導致溝道夾斷。預夾斷的臨界條件 輸出特性 特性方程 可變電阻區                              飽和區   N溝道耗盡型MOSFET 柵源加負電壓，在電場作用下溝道減小。耗盡溝道的夾斷電壓VP。 輸出特性   P溝道M

>>阅读原文<<