NAND閃存的現狀與未來

  NAND閃存在過去的一年中歷經重大變革。閃存技術需要綜合考慮許多方面，在生產工藝、數據完整性要求、最大寫入次數等方面達成恰到好處的平衡。簡單來講，當我們剛剛踏入2016年時，原始閃存(稱爲2D NAND)的發展方式已經接近盡頭，很難再通過精益化工藝增加單塊芯片所支持的存儲容量。 通過引入3D NAND的概念，現在的閃存單元可以堆疊在三維空間之中。在相對輕鬆的工藝要求下，將單塊芯片的容量提升48

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