SDRAM 和 NAND FLASH

SDRAM

1 SDRAM邏輯原理圖

　　其存儲結構的邏輯圖，以下圖所示。

              

　　與表格的檢索原理同樣，先指定一個行（Row）而後再指定一個列（Column），就能夠準確地找到所須要的單元格，這就是SDRAM尋址的基本原理 。這個單元格被稱爲存儲單元，而這個表格就是邏輯Bank（Logical Bank），SDRAM通常含有4個L-Bank。

　　任何一款SDRAM都須要注意它的一些信息，如位寬、列/行地址、刷新週期、以及Bank地址。其中，位寬是從原理圖中能夠獲得，而 列/行地址、刷新週期 以及bank地址則是從芯片的數據手冊中獲得。

　　SDRAM：在計算其地址空間時，即地址大小時，並不能看數據線的位數。例如一個SDRAM芯片它只有13根地址線，2的13次方8K，每一個地址對應4字節的話，也就只有32K。而芯片手冊上一般都會比這個大，這是由於還有兩根線，行地址(nSRAS)，列地址(nSCAS)。另外，還有LnWBE0,LnWBE1，表示對應字節的寫使能，意思就是若是SDRAM芯片是16位，但如今只想寫低8位，那麼此時咱們就能夠只拉低LnWBE1，這樣高字節部分寫使能消失。若是沒有這兩個引腳的話，那隻能先讀16位，而後修改，再回寫進SDRAM。

2 S3C2440 與 SDRAM

　　鏈接

　　一般能夠看到，在原理圖中，若是SDRAM是32位（多是由兩個SDRAM合起來）的，那麼S3C2440的A0/A1並不與SDRAM鏈接，而是從A2開始鏈接的，這是由於SDRAM是32位的，4個bytes。那麼S3C2440發出地址便可以獲得4個字節，而S3C2440是按字節尋址的，因此須要低2位來劃分這4個字節並取出須要的字節。

　　另外一般S3C2440的BANK6~BANK7比較特別，由於只有它們能夠鏈接SDRAM，具體能夠參看相關數據手冊。

　　訪問

　　一般處理器外圍會鏈接一系列存儲的設備，如SDRAM\DM9000，那麼如何訪問這些芯片呢。就是CPU經過存儲管理器實現。例如CPU須要讀0x30000000讀4字節數據。那麼CPU只須要執行下列彙編指令便可：mov r1, #0x30000000; ldr r0, [r1]。由存儲管理器，根據配置信息得知0x30000000是對應內存SDRAM的地址，因此須要有SDRAM的時序，如1發出片選信號，2bank選擇信號，3列地址，4行地址。這4步都是由存儲管理器實現。

3 其它

　　內存分爲SRAM\SDRAM\DDR。

　　（1）SRAM速度快，但成本高，使用方法簡單，直接發地址，而後讀寫。

　　（2）SDRAM則是成本低，但訪問方法複雜，地址還分爲列地址、行地址並且須要不斷地刷新它。另外DDR，是指傳統的SDR SDRAM只能在信號的上升沿進行數據傳輸。

　　（3）DDR SDRAM卻能夠在信號的上升沿和降低沿都進行數據傳輸，因此DDR內存在每一個時鐘週期均可以完成兩倍於SDRAM的數據傳輸量，這也是DDR的意義——Double Data Rate，雙倍數據速率。

　　網卡、NORFLASH的接口與SRAM同樣，術語上稱爲ram-like。因此，若是須要接NORFLASH或者網卡，則能夠直接接在bank0~bank5，而若是是SDRAM，則應該掛接在BANK6-7。

Nand Flash

1 分類

　　一般能夠分爲大頁nand flash 和小頁nand flash，其中大頁是指一頁有2K字節，而小頁只有512字節。64頁組成一塊。

2 地址空間

　　NandFlash編址：1頁大小其實是2048+64（OOB）。64在多數狀況下是不參與編址的。而是作爲冗餘檢測所用。

　　因爲nand flash是獨立編址，因此大多數的時候，讀寫nand flash它是要先領先鏈接線，發命令、發地址、發數據，並不能直接尋址到相應的位置（不像SDRAM同樣）。

總結尋址方式至少分爲兩種

1 SDRAM、DM9000它們的芯片上都有地址信號線

2 NandFlash的芯片上是沒有地址信號線的

　　諸如1類的存儲器芯片（能夠包括SDRAM\DM9000\SRAM\寄存器），它們用的地址都是CPU能夠看見的，是CPU發出來的。即CPU統一編址。

　　但諸如2類的CPU鏈接的NandFlash，那麼顯然它也是本身的獨立的地址空間。因此它們是經過發送地址、命令、數據等信號。