(1)存儲器可分爲:CPU寄存器、高速緩衝存儲器、主存儲器簡稱主存或內存,輔助存儲器簡稱外存或輔存。
(2)半導體存儲器的分類:性能
1.按製造工藝的分爲:雙極型存儲器和MOS存儲器 2.按信息存儲方式可分爲:半導體存儲器可分爲隨機存取存儲器RAM和只讀存儲器ROM *隨機存儲器又稱爲讀寫存儲器,其特色是信息能夠按地址隨時讀出或寫入。 RAM分爲兩類: 靜態RAM:讀寫速度快,但集成度低、容量小。 動態RAM:讀寫速度慢,集成度高單片容量大,多用在存儲量較大的系統之中。因爲存儲內容通過必定時間以後會自動消失,因此必須週期性的進行刷新。 *只讀存儲器:閃速存儲器
(3)半導體存儲器的性能指標
主要包括:存儲容量、存取速度、功耗、可靠性。編碼
1.存儲器的容量反應了存儲空間的大小,存儲容量常以字節、字爲單位。 1KB=2^10B, *在用存儲芯片設計內存存儲器是,存儲芯片的容量用其能存儲的二進制位數來表示,通常描述爲:N×M(其中,N表示芯片的存儲單元數,M表示每單元的存儲位數) 【例如:SRAM芯片6264的容量爲:8K×8,他有8K個存儲單元每一個存儲單元存儲8位二進制數據】 2.存取速速:直接影響計算機主機運行速度。 3.可靠性:是指存儲器對磁場、溫度等因素的干擾 4.性能/性價比:體積小、重量輕、價格便宜且使用方即是微型機的首要特色 5.功耗:使用低功耗存儲器芯片構成存儲器系統不只能夠減小對電源容量的要求,並且還能夠減小發熱量,提升存儲器的穩定性
(4)半導體存儲器的通常結構及組成設計
半導體隨機存儲器通常由存儲矩陣、地址譯碼器、三狀態雙向緩衝器和控制邏輯電路等部分。
····存儲體是存儲器中存儲信息的部分,由大量的基本存儲電路組成。每一個基本存儲電路存放一位二進制信息
存儲排列N×1稱爲位結構,N×8稱爲字結構
····地址譯碼器是將CPU發送來的地址信號進行譯碼後產生地址編碼,以便選中存儲矩陣中的某一個或幾個基本存儲電路進行讀/寫操做。
···存儲器控制電路經過相應的信號引腳,接收來自CPU或外部電路的控制信號,通過組合變換後,對存儲、地址譯碼驅動電路和三態雙向緩衝器進行控制code