IBM公司公佈三層單元PCM-MLC，向3DX堆棧方案發起挑戰

 利用Haralampos（Haris）Pozidis博士在IBM的非易失性存儲器研究成果，IBM公司日前在IEEE國際存儲器研討會上披露了一整套技術細節，據稱已經成功立足高溫環境在4Mcell（相當於32 Mbit）相變存儲器（簡稱PCM）陣列內實現可靠的三層單元存儲效果，且其使用壽命週期可達100萬次。 可以說IBM公司在三層單元PCM領域的成就、突破乃至發展轉折點將成爲重要的技術里程碑，意味

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