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三電平逆變掃盲
時間 2021-01-13
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IGBT模塊三電平逆變器「I」字型和「T」字型電路的比較分析 摘要:隨着太陽能、UPS技術的不斷髮展和市場的不斷擴大,對逆變器效率的要求也越來越被製造商所重視,因此三電平的拓撲結構便應運而生。衆所周知,與傳統兩電平結構相比,三電平結構除了使單個IGBT阻斷電壓減半之外,還具有諧波小、損耗低、效率高等優勢。本文主要是現有的三電平研究的基礎上,對」I」字型和」T」字型電路的波形了進行分析,並在波形分析
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