一款GaN HEMT內匹配功率放大器設計過程詳解

一款GaN HEMT內匹配功率放大器設計過程詳解 張書源，鍾世昌 發表於 2020-01-22 16:55:00 模擬技術 +關注 0 引言 近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發展非常迅猛。GaN材料作爲第三代半導體的典型代表，具有很多優異的特性，如禁帶寬度寬、擊穿場強高、熱傳導率高和峯值電子漂移速度高，所以GaN材料可以很好地滿足高溫、高頻和高功率等工作要求。同時由於目前的電子整機系統要求功率放大

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