物聯網應用興起 四種存儲技術有望成新寵兒

目前的內存技術以DRAM與NAND閃存爲主流，但DRAM的讀寫速度快無法長時間儲存數據；NAND Flash能保存數據， 但讀寫速度不佳。同時兼具運算、儲存能力的下世代內存，如磁阻式內存(MRAM)、電阻式內存(RRAM)、3D XPoint技術與高潛力的自旋電子磁性內存(STT-MRAM)等，就成爲下世代內存技術的新寵兒。arm嵌入式定製 2017年是MRAM技術爆發的一年，當年在日本舉辦的大規

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