非易失性內存重大突破：有望全局替代現有硬盤

  近日，俄羅斯遠東聯邦大學科研工作者奧列格•特列季亞科夫作爲俄日美德國際研究團隊的一員，發現斯格明子霍爾效應(skyrmion Hall effect)，這使得製造更高速、廉價、可靠、非易失性的電子儲存器成爲可能。 科學家們的工作成果發佈在《自然•物理學》(Nature physics)雜誌上。奧列格•特列季亞科夫稱，「斯格明子」可能是未來磁存儲技術的基礎。 斯格明子的間距可僅爲幾納米，與此同時

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