IGBTMOS管的工作原理及檢測方法

　　IGBT又稱MOS管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。其輸入極爲MOS管輸出極爲PNP晶體管。因此，可以把其看作是MOS管輸入的達林頓管。          　　它融合了MOS管的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，具備易於驅動、峯值電流容量大、自關斷、開關頻率高（10-40kHz）等特點，已逐步取代晶閘管和門極可關斷晶閘

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