[半導體] pn結，三極管，MOS基本知識

PN結：        形成：兩硅塊結合時，由於它們存在載流子濃度梯度，電子從N區向P區擴散，空穴從P區向N區擴散。N區電子離開後，留下不可動的帶正電的電離施主，形成正電荷區，同理在P區形成一個負電荷區，它們所在的區域稱爲空間電荷區 ，產生了從N區到P區的內建電場，少數載流子在其作用下做漂移運動，阻礙多數載流子擴散運動，隨着擴散運動的進行，空間電荷區越來越大，漂移運動加強，無外加電場時，最終兩者達

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