靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的;動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。因爲電容上的電荷會泄漏,須要定時給與補充,因此動態RAM須要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低,從而成本也低,適於做大容量存儲器。因此主內存一般採用動態RAM,而高速緩衝存儲器(Cache)則使用靜態RAM。另外,內存還應用於顯卡、聲卡及CMOS等設備中,用於充當設備緩存或保存固定的程序及數據。