常用半導體器件之二極管

1.PN結的伏安特性 U（BR）反向擊穿電壓 2.PN結的電容效應 耗盡層寬窄變化所等效的電容稱爲勢壘電容Cb。 擴散區內，電荷的積累和釋放過程與電容器充放電過程相同，這種電容效應成爲擴散電容Cd。 它與流過PN結的正向電流i，溫度的電壓當量UT以及非平衡少子的壽命t有關。i越大、t越大、UT越小，Cd就越大。 結電容Cj = Cb+Cd，結電容通常爲（1pF-幾百pF），對低頻信號大容抗，只有在

>>阅读原文<<