讓人又愛又恨的氮化鎵器件 --- 記錄人生第一次炸機

寬禁帶器件也不是什麼新鮮詞兒了，我們常用的寬禁帶電力半導體有兩類 — 氮化鎵GaN器件和碳化硅SiC器件。 之前嘗試過用SiC器件研發了一款圖騰柱PFC整流器，別的不說，這SiC是真的耐造。從頭到尾，竟然沒有炸過任何一片SiC MOSFET。 然後最近在做一款高功密的2kW Boost樣機，換了配方，用了GaNsystem公司的氮化鎵器件，於是，有了我的「處女炸」。 炸機的主要原因是軟起動的邏輯沒

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