FRAM具有無限的續航能力和即時寫入能力

FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用於汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因爲其使用解決了這些缺點。 這些吸引人的特性是鋯鈦酸鉛（PZT）是其中一種材料的鐵電性能的結果。PZT具有鈣鈦礦晶體結構，中心有一個陽離子（見圖1）。該陽離子可以處於兩個位置之一，並且可以通過施加電場來切換位置。每個轉換都會產生「開關電荷」（Q s）

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