《LPMM》——Chapter1

1.1   隨着先進工藝技術的發展，特徵尺寸縮小到一定程度時，泄漏電流急劇增大，在某些工藝節點下相當甚至超過動態電流。   由於功耗密度已經非常大（對封裝等來說接近極限），因此，不再通過提高時鐘頻率來提升性能，而是採用多處理器芯片（多核），取代單核高性能芯片。   降低泄漏方法： 電源門控PG（在閒置時power down該模塊，工作時再上電） 多閾值庫（tradeoff 泄漏vs速度，高vt的泄

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