4D NAND 也來了！宏旺半導體告訴你與3D NAND有什麼區別？

在5G手機的帶動之下，產業逐漸復甦，128層堆棧的4D NAND Flash也即將量產。隨着SSD的普及，NAND這個詞逐漸進入用戶們的視線，許多商家會在產品宣傳中提到4D NAND、3D NAND等詞彙，但對於新手小白來講，也許還不知道這些究竟表明着什麼意思。今天，宏旺半導體就來跟你們科普什麼是3D NAND、4D NAND，有什麼區別。

要了解這些含義，首先要知道什麼是NAND。宏旺半導體以前提到過，存儲能夠分爲就是易失性存儲和非易失性存儲，非易失性存儲在斷電的狀況下數據不會丟失，會保持長期的存儲，於是NAND屬於非易失性閃存存儲器，一般用來製造SSD存儲數據。

隨着人們需求的不斷增長，受到有限寬度和長度尺寸內容納存儲器單元的限制。2D NAND容量已達到其開發的極限，利用2D NAND很難在SSD容量方面上繼續增長。因而，3D NAND應運而生。3D NAND可帶來更好的性能，更低的成本以及更高的密度。

據宏旺半導體瞭解，3D NAND指的是閃存芯片的存儲單元是 3D 的。此前的閃存多屬於平面閃存 (Planar NAND)，而3D NAND，顧名思義，便是指立體結構的閃存。若是平面閃存是平房，那 3D NAND 就是高樓大廈。把存儲單元立體化，意味着每一個存儲單元的單位面積能夠大幅降低。

目前市場上已經有15TB及以上的3D NAND SSD，正在開發的SSD存儲容量甚至可以高達6PB。但這這麼大容量的SSD很昂貴，由於它們不只須要純粹的容量，還須要智能控制器和快速的性能，但3D NAND SSD仍是有不少大容量業務場景用戶需求的。也正由於3D NAND的技術，使得部分採用相應技術的TLC產品達到了MLC的性能，就是咱們常說的3D TLC。

但3D NAND也有着本身的劣勢，隨着先進的工藝帶來的更大的容量，3D NAND的可靠性和穩定性以及性能方面都在降低，由於工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就須要採起額外手段彌補這一問題，這必然會提升成本。

那即將出貨的4D NAND 跟3D NAND有什麼區別嗎？其實，據宏旺半導體瞭解，本質上仍是3D NAND Flash，只不過單芯片採用4層架構設計，結合了3D CTF (電荷捕獲閃存) 設計、PUC (Peri. Under Cell) 技術，PUC是指製造NAND Flash時先造成周邊區域再堆棧晶體，有助於縮小芯片面積。因此，取名4D NAND Flash彷佛只是爲了比較好營銷。

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